Zaitsev, R. V.Kirichenko, M. V.Mygushchenko, R. P.Veselova, N. V.Khrypunov, G. S.Dobrozhan, A. I.Zaitseva, L. V.2020-12-232020-12-232017Structure and Properties of the Cadmium Sulfide Films Received by Magnetron Dispersion Method / R.V. Zaitsev [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2017. – Т. 9, № 6. – С. 06020-1-06020-5.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/49963For the purpose of creation of the economic, suitable for large-scale application technology of formation of a layer of wide-scale "window", for thin-film photo-electric converters on the basis of sulfide and telluride of cadmium the pilot studies of temperature effect of a deposition of the films of sulfide of cadmium received by method of magnetron dispersion on a direct current on their optical properties and crystalline structure were conducted. By method of a two-channel optical spectroscopy it is established that a deposition of films of sulfide of cadmium at a temperature of 160 °C allows to form layers with a width of forbidden region of 1,41 eV that approaches value, characteristic of monocrystals, and the density of the photon flux passing through a cadmium sulfide layer in a spectral interval of a photosensitivity of telluride of cadmium at the level of 37,0 W·nm·cm².З метою створення економічної, придатної для широкомасштабного застосування технології формування шару широкозонного "вікна" для тонкоплівкових фотоелектричних пере творювачів на основі сульфіду та телуриду кадмію були проведені експериментальні дослідження впливу температури осадження плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення на постійному струмі, на їх оптичні властивості і кристалічну структуру. Методом двоканальної оптичної спектроскопії встановлено, що осадження плівок сульфіду кадмію при температурі 160 °С дозволяє формувати шари з шириною забороненої зони 1,41 еВ, що наближається до значення, характерного для монокристалів, і щільністю потоку фотонів, що проходять через шар сульфіду кадмію в спектральному інтервалі фоточутливості телуриду кадмію, на рівні 37,0 Вт·нм·см².encadmium sulfide filmsmethod of magnetron dispersion on a direct currentoptical losseswidth of the forbidden regioncrystalline structureплівки сульфіду кадміюметод магнетронного розпилення на постійному струміоптичні втратиширина забороненої зоникристалічна структураArticledoi.org/10.21272/jnep.9(6).06020