Вісник № 44
Постійне посилання зібрання
Переглянути
Перегляд Вісник № 44 за Автор "Капустин, В. Л."
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Исследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge(НТУ "ХПИ", 2010) Глушко, П. И.; Журавлев, А. Ю.; Капустин, В. Л.; Семенов, Н. А.; Хованский, Н. А.; Шеремет, В. И.; Широков, Б. М.; Шиян, А. В.Проведен термодинамический анализ реакций водородного восстановления хлоридов кремния и германия в молекулярном и атомарном водороде. Установлено, что в среде атомарного водорода восстановление хлоридов кремния и германия происходит при более низких температурах, чем в среде молекулярного водорода. Изучена кинетика процессов осаждения кремния и германия водородным восстановлением их хлоридов. Показано, что при температуре выше 1280К скорость осаждения кремния и германия контролируется доставкой галогенидов к растущей поверхности. Выполнены исследования по получению кремний-германиевых сплавов восстановлением хлоридов кремния и германия в низкотемпературной неравновесной плазме ВЧ-разряда. Получены и исследованы образцы с осажденными эпитаксиальными слоями из SiGe на монокристаллических подложках кремния и кремний-германия.