Исследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge
Вантажиться...
Дата
2010
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Проведен термодинамический анализ реакций водородного восстановления хлоридов кремния и германия в молекулярном и атомарном водороде. Установлено, что в среде атомарного водорода восстановление хлоридов кремния и германия происходит при более низких температурах, чем в среде молекулярного водорода. Изучена кинетика процессов осаждения кремния и германия водородным восстановлением их хлоридов. Показано, что при температуре выше 1280К скорость осаждения кремния и германия контролируется доставкой галогенидов к растущей поверхности. Выполнены исследования по получению кремний-германиевых сплавов восстановлением хлоридов кремния и германия в низкотемпературной неравновесной плазме ВЧ-разряда. Получены и исследованы образцы с осажденными эпитаксиальными слоями из SiGe на монокристаллических подложках кремния и кремний-германия.
Опис
Ключові слова
термодинамический анализ, атомарный водород, молекулярный водород, процессы осаждения кремния, кинетика, кремний-германиевые сплавы, эпитаксиальные слои
Бібліографічний опис
Исследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge / П. И. Глушко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2010. – № 44. – С. 5-11.