Напівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементів
Вантажиться...
Дата
2014
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПІ"
Анотація
Представлена економічна і придатна для використання в масовому виробництві методика отримання моносульфіду олова з орторомбічною структурою герценбергіта шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок металу, електроосаджених зі стандартного електроліту олов'янування. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання.
A comparative analysis of two techniques for the electrochemical deposition of tin sulfide base layers for thin film solar cells has been fulfilled. One-step technique consisted in a direct electrodeposition of tin sulfide semiconductor layers proved to be ineffective. A new economical two-stage technique suitable for use in mass production is presented for producing of orthorhombic herzenbergite type tin monosulfide (β-SnS) by sulfurization of tin films electrodeposited from a standard electrolyte in sulfur vapor. The synthesized polycrystalline SnS is an electronic semiconductor with resistivity ρSnS ≈ 5–9 kOhm cm. The SnS films are characterized by direct optical transitions, band gap Eg ≈ 1.1–1.2 eV and optical absorption coefficient α = (3–3.5)*10⁴ cm⁻¹ in the visible and near-infrared spectra. Hence on the amount of physical and chemical characteristics they are promising for use as base layers of thin film solar cells of a new generation.
A comparative analysis of two techniques for the electrochemical deposition of tin sulfide base layers for thin film solar cells has been fulfilled. One-step technique consisted in a direct electrodeposition of tin sulfide semiconductor layers proved to be ineffective. A new economical two-stage technique suitable for use in mass production is presented for producing of orthorhombic herzenbergite type tin monosulfide (β-SnS) by sulfurization of tin films electrodeposited from a standard electrolyte in sulfur vapor. The synthesized polycrystalline SnS is an electronic semiconductor with resistivity ρSnS ≈ 5–9 kOhm cm. The SnS films are characterized by direct optical transitions, band gap Eg ≈ 1.1–1.2 eV and optical absorption coefficient α = (3–3.5)*10⁴ cm⁻¹ in the visible and near-infrared spectra. Hence on the amount of physical and chemical characteristics they are promising for use as base layers of thin film solar cells of a new generation.
Опис
Ключові слова
електроосадження, прекурсор, сульфурізація, герценбергіт, метал, електроліт, electrodeposition, tin sulfide, solar cell, precursor, sulfurization
Бібліографічний опис
Напівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементів / Є. І. Сокол [та ін.] // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит = Energy saving. Power engineering. Energy audit. – 2014. – № 9. – Спец. вып. Т. 1 : Силовая электроника и энергоэффективность. – С. 128-132.