Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"
Постійне посилання зібрання
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne
Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики".
Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.
За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.
Переглянути
Нові надходження
Документ ITO/polyimide/Al2O3 thin films structure for capacitive transducers(2020) Zaitseva, Liliia V.; Vodoriz, Olga S.; Zaitsev, Roman V.It has been developed and approbated prototypes of thin-film capacitor transducers based on Al/ITO/polyimide/Al2O3 heterosystem for capacitive acoustic control in metal objects in the modes of simultaneous acoustic signal reception and generation by capacitive transducers and in certain modes of acoustic signal generating or receiving that can realize objects monitoring with sensitivity at the level of piezoelectric transducers. The developed prototype of thin film capacitive transducer for monitoring pipelines by longwave capacitive method allows increasing the maximum distance between the capacitive transducers up to 10 m. It has been engineered the thin film capacitive transducers which by using the polyamide film with 15 microns thickness of and alumina film with 1 micron thickness allow to increase the sensitivity of such method in 7-8 times. It is shown that using the magnetron sputtering technology, which provides high adhesion to polyimide substrate layers, made possible produce the capacitive transducers for objects with various shape. Proposed and patented: capacitor method for receiving acoustic signals in non-destructive control and transducer of ultrasonic acoustic wave’s excitation and receiving.Документ Technology Bases of Combined Photovoltaic Systems(2023) Zaitsev, Roman; Kirichenko, Mykhailo; Minakova, Kseniia; Khrypunov, Gennadiy; Nikitin, ViktorThis work is subject to copyright. All rights are solely and exclusively licensed by the Publisher, whether the whole or part of the material is concerned, specifically the rights of translation, reprinting, reuse of illustrations, recitation, broadcasting, reproduction on microfilms or in any other physical way, and transmission or information storage and retrieval, electronic adaptation, computer software, or by similar or dissimilar methodology now known or hereafter developed. The use of general descriptive names, registered names, trademarks, service marks, etc. in this publication does not imply, even in the absence of a specific statement, that such names are exempt from the relevant protective laws and regulations and therefore free for general use. The publisher, the authors and the editors are safe to assume that the advice and information in this book are believed to be true and accurate at the date of publication. Neither the publisher nor the authors or the editors give a warranty, expressed or implied, with respect to the material contained herein or for any errors or omissions that may have been made.Документ Фізика напівпровідникових приладів(2023) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія ОлександрівнаОскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.Документ Mathematical Modeling of Physical Processes of Electromagnetic Field Transformation in Elastic Oscillations Field in Microthick Layers of Metals(Сумський державний університет, 2017) Plesnetsov, S. Yu.; Migushchenko, R. P.; Petryschev, O. N.; Suchkov, G. M.; Khrypunov, G. S.The results of the mathematical studies on the modeling of high-frequency electromagnetic field conversion in the field of elastic oscillations process in microthick surface layers or electrically conductive ferromagnetic material thin films placed in a magnetic field are given, taking into account the coherence of elastic, electric and magnetic properties of the metal. It is shown that in practical calculations, especially in the case of high-frequency oscillations, it is necessary to take into account thickness of skin layer in which electromagnetic field transforms into acoustic field.Документ Квантова електроніка(ФОП Середняк Т. К., 2023) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло ВалерійовичКвантова електроніка і оптоелектроніка достатньо молоді науки. Квантова електроніка вивчає поглинання і випромінювання енергії атомів і молекул речовини при переходах з одного енергетичного рівня на інший.Документ Створення тонкоплівкової композиції для нової конструкції сонячного елементу з кестеритним базовим шаром(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лук'янова, Олександра Віталіївна; Копач, Володимир Романович; Волкова, Неоніла Дмитрієвна; Корсун, Валерія Евгеніївна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло ВалерійовичСтворено тонкоплівкову композицію для нової конструкції сонячного елементу з кестеритним базовим шаром шляхом застосування двох недорогих і придатних для широкомасштабного виробництва рідиннофазних методів, а саме електроосадження і методу послідовної абсорбції і реакції іонних шарів. Вивчено структуру і оптичні властивості окремих шарів, досліджено електричні властивості гетероструктури Mo/р-Cu₂ZnSnS₄/n-ZnS/Al.Документ Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Лук'янова, Олександра Віталіївна; Волкова, Неоніла Дмитрієвна; Корсун, Валерія Евгеніївна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло ВалерійовичЗ метою створення нової конструкції сонячного елемента (СЕ) з наноструктурованим одновимірним (1-D) шаром ZnO, сенсибілізованим квантовими точками (КТ) SnS, застосоване імпульсне електроосадження масивів 1-D ZnO, а також нанесення квантових точок SnS і тонкої плівки широкозонного напівпровідника р-типу CuSCN методом рідиннофазного молекулярного нашарування (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR). В роботі досліджені морфологія, структура і оптичні властивості всіх напівпровідникових шарів. Продемонстровано діодну характеристику розробленої нами нової конструкції СЕ на КТ, яка підтверджує її функціональність.Документ Effect of extraterrestrial solar UV radiation on structure and properties of ZnO films obtained by wet chemical methods(Vasyl Stefanyk Precarpatian National University, 2019) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Khrypunova, A. L.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.Документ Використання електрохімічного і гідрохімічного методів для виготовлення напівпрозорого сонячного елемента на основі гетеропереходу р-NiO/n-ZnO(Рік-У, 2018) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Жадан, Дмитро Олегович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Петрушенко, Сергій Іванович; Любов, Віктор Миколайович; Дукаров, Сергій Валентинович; Кіріченко, Михайло ВалерійовичДокумент Кристалічна структура, оптичні, електричні та термоелектричні властивості плівок ZnO і ZnO:In, виготовлених методом SILAR(Рік-У, 2018) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Жадан, Дмитро Олегович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Петрушенко, Сергій Іванович; Любов, Віктор Миколайович; Дукаров, Сергій Валентинович; Кіріченко, Михайло ВалерійовичДокумент Superhydrophobic textiles with fibers coated by nanosctructured indium-doped zinc oxide layers(Kamianets-Podіlskyi National Ivan Ohiienko University, 2020) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.Документ Nanostructured СuI thin films on biodegradable nanocellulose flexible substrates for UV-shielding applications(Kamianets-Podіlskyi National Ivan Ohiienko University, 2020) Klochko, N. P.; Barbash, V. A.; Klepikova, K. S.; Kopach, V. R.; Yashchenko, O. V.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Sukhov, V. M.; Khrypunova, A. L.Документ Вплив фізико-технічних режимів магнетронного розпилення на структуру та оптичні властивості плівок CdS та CdTe(ПП Щербатих О. В., 2016) Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій ІгоровичДокумент Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения(Наука, 2016) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Мягченко, Юрий Александрович; Мельничук, Е. Е.Показана возможность создания высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка недорогим и приспособленным для крупномасштабного производства методом импульсного электроосаждения из водных растворов без использования каких-либо водоотталкивающих покрытий. Определены условия осаждения высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка, проявляющих "эффект лепестка розы", с определенными морфологией, оптическими свойствами, кристаллической структурой и текстурой. Изготовленные нами наноструктуры ZnO являются перспективным для микро- и наноэлектроники адаптивным материалом, способным под воздействием ультрафиолетового облучения обратимо переходить в гидрофильное состояние.Документ Nanostructured Thermoelectric Thin Films Obtained by Wet Chemical Synthesis(Sumy State University, 2017) Klochko, N. P.; Kopach, V. R.; Khrypunov, G. S.; Korsun, V. E.; Lyubov, V. M.; Otchenashko, О. N.; Zhadan, D. O.; Kirichenko, M. V.; Nikitin, V. О.; Maslak, M. O.; Khrypunova, A. L.Nanostructured pristine lead sulfide and copper iodide semiconductor films as well as copper doped lead sulfide and iodine-enriched copper iodide layers were obtained on solid and flexible substrates via Chemical Bath Deposition (CBD) and Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) methods. Crystal structures, optical, electric and thermoelectric properties of the layers have been studied. It was shown that the obtained films deposited on glass and mica substrates are smooth and continuous, have polycrystalline structures of the corresponding bulk semiconductors with grain sizes of several tens of nanometers. Investigations of the optical properties revealed, that their band gaps are characteristic for the corresponding bulk materials. All obtained semiconductor layers are p-type of conductivity. The resistivity of the lead sulphide films were reduced noticeably by means of their doping with copper. Iodination of the copper iodide films convert them into degenerate semiconductors. Investigations of the temperature dependent resistivity, the Seebeck coefficients and power factors confirmed that the obtained materials are promising for their use in thin-film solar thermoelectric generators with the aim of solar heat transforming into electricity.Документ Wettability of the cotton and polyester tissues coated by nanostructured indium-doped zinc oxide layers(Ivan Franko National University of Lviv, 2020) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.; Khrypunova, A. L.Документ Development of Kesterite Based Heterojunction for Photovoltaics Application(Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016) Lukianova, O. V.; Klochko, N. P.; Kopach, V. R.; Lyubov, V. M.Документ Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди(Наука, 2018) Клочко, Наталья Петровна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Корсун, Валерия Евгеньевна; Любов, Виктор Николаевич; Жадан, Дмитрий Олегович; Отченашко, А. Н.; Кириченко, Михаил Валерьевич; Хрипунов, Максим ГеннадиевичВ качестве основы перспективной конструкции обращенного диода сформирована гетероструктура на базе массива наностержней оксида цинка и наноструктурированной пленки иодида меди. Проведено исследование влияния режимов осаждения методом SILAR и последующего иодирования пленок CuI на гладких подложках из стекла, слюды и FTO, а также на поверхности электроосажденных наноструктурированных массивов оксида цинка, на их структуру, электрические и оптические свойства. Выявлена связь изменений, наблюдаемых в структуре и свойствах этого материала, с имеющимися в нем изначально и создаваемыми в процессе иодирования точечными дефектами. Обнаружено, что причиной и условием формирования гетероструктуры обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди является формирование вырожденного полупроводника p+-CuI путем избыточного иодирования слоев этого наноструктурированного материала через его развитую поверхность. Впервые изготовлена барьерная гетероструктура n-ZnO/p+-CuI с вольт-амперной характеристикой обращенного диода, коэффициент кривизны которой γ = 12 В−1 подтверждает ее добротность.Документ Nanostructured ZnO and CuI Thin Films on Poly (Ethylene Terephthalate) Tapes for UV-Shielding Applications(Sumy State University, 2020) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Zhadan, D. O.; Kopach, V. R.; Khrypunova, I. V.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Khrypunova, A. L.In this work, we study a suitability for protection against terrestrial ultraviolet part of the solar spectrum of undoped and doped by indium zinc oxide thin nanostructured films, ZnO and ZnO:In, respectively, and cuprous iodide (CuI) films obtained via Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) techniques on the lightweight low cost poly(ethylene terephthalate) (PET) flexible substrates. The film morphology is observed by scanning electron microscopy (SEM). Chemical compositions of the films are investigated by X-ray fluorescence (XRF) microanalysis. To research crystal structure we used X-ray diffraction (XRD) method. The UV-protection ability of the nanostructured thin films, PET tapes and samples consisting of the PET substrates and the films deposited on them by the SILAR method has been evaluated on the base of their optical properties in accordance with an international standard ISO 2443:2012(E) “Determination of sunscreen UVA photoprotection in vitro”. According to the research, nanostructured ZnO, ZnO:In and CuI thin films made by the cheap, affordable, and suitable for mass production SILAR method on thin flexible cheap PET substrates have been proposed as a new material for UV-shielding applications. In accordance with an international standard ISO 2443:2012(E), UV-protection ability of the samples consisting of the PET substrates and the films deposited on them by the SILAR method fits the category “excellent” (50+). The best low cost flexible and lightweight UV shielding material turned out to be that consisted from ZnO:In film and PET substrate, the sun protection factor of which equals 157.Документ Effect of Glow-discharge Hydrogen Plasma Treatment on Zinc Oxide Layers Prepared through Pulsed Electrochemical Deposition and via SILAR Method(Sumy State University, 2019) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Nikitin, A. V.; Kopach, V. R.; Khrypunova, I. V.; Zhadan, D. O.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Khrypunova, A. L.In this work, we investigated the effect of glow-discharge H₂⁺ plasma treatment on ZnO layers deposited on fluorine doped tin oxide (FTO) glass substrates through low temperature aqueous solution growth, namely, via a pulsed electrochemical deposition and by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) technique. It is shown that the crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties obtain some destructive changes after plasma processing due to the creation of oxygen vacancies Vo and H-related defects, and additionally, because of the zinc oxide etching by the glow-discharge H₂⁺ plasma through reduction of zinc oxide and evaporation of Zn from the surface. Neverthe-less, our investigations show quite good stability of the ZnO layers to the plasma-induced radiation and chemical impacts under high total H₂⁺ fluence received by every ZnO/FTO sample ~ 8·10¹⁸ cm⁻².