Исследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge
Дата
2010
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Проведен термодинамический анализ реакций водородного восстановления хлоридов кремния и германия в молекулярном и атомарном водороде. Установлено, что в среде атомарного водорода восстановление хлоридов кремния и германия происходит при более низких температурах, чем в среде молекулярного водорода. Изучена кинетика процессов осаждения кремния и германия водородным восстановлением их хлоридов. Показано, что при температуре выше 1280К скорость осаждения кремния и германия контролируется доставкой галогенидов к растущей поверхности. Выполнены исследования по получению кремний-германиевых сплавов восстановлением хлоридов кремния и германия в низкотемпературной неравновесной плазме ВЧ-разряда. Получены и исследованы образцы с осажденными эпитаксиальными слоями из SiGe на монокристаллических подложках кремния и кремний-германия.
Опис
Ключові слова
термодинамический анализ, атомарный водород, молекулярный водород, процессы осаждения кремния, кинетика, кремний-германиевые сплавы, эпитаксиальные слои
Бібліографічний опис
Исследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge / П. И. Глушко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2010. – № 44. – С. 5-11.