Исследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГлушко, П. И.ru
dc.contributor.authorЖуравлев, А. Ю.ru
dc.contributor.authorКапустин, В. Л.ru
dc.contributor.authorСеменов, Н. А.ru
dc.contributor.authorХованский, Н. А.ru
dc.contributor.authorШеремет, В. И.ru
dc.contributor.authorШироков, Б. М.ru
dc.contributor.authorШиян, А. В.ru
dc.date.accessioned2017-01-30T13:51:35Z
dc.date.available2017-01-30T13:51:35Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractПроведен термодинамический анализ реакций водородного восстановления хлоридов кремния и германия в молекулярном и атомарном водороде. Установлено, что в среде атомарного водорода восстановление хлоридов кремния и германия происходит при более низких температурах, чем в среде молекулярного водорода. Изучена кинетика процессов осаждения кремния и германия водородным восстановлением их хлоридов. Показано, что при температуре выше 1280К скорость осаждения кремния и германия контролируется доставкой галогенидов к растущей поверхности. Выполнены исследования по получению кремний-германиевых сплавов восстановлением хлоридов кремния и германия в низкотемпературной неравновесной плазме ВЧ-разряда. Получены и исследованы образцы с осажденными эпитаксиальными слоями из SiGe на монокристаллических подложках кремния и кремний-германия.ru
dc.identifier.citationИсследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge / П. И. Глушко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2010. – № 44. – С. 5-11.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/26764
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectтермодинамический анализru
dc.subjectатомарный водородru
dc.subjectмолекулярный водородru
dc.subjectпроцессы осаждения кремнияru
dc.subjectкинетикаru
dc.subjectкремний-германиевые сплавыru
dc.subjectэпитаксиальные слоиru
dc.titleИсследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Geru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_KhPI_2010_44_Glushko_Issledovanie.pdf
Розмір:
1.05 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.21 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник № 44