Методичні вказівки до лабораторних робіт "Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками" з розділів модуля "Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур"

Abstract

Методичні вказівки до лабораторних робіт з розділів "Дослідження властивостей і параметрів напівпровідникових структур за їх темновими вольт-амперними та амплітудно-часовими характеристиками", "Дослідження властивостей і параметрів напівпровідникових структур за їх вольт-фарадними характеристиками" й "Методи дослідження параметрів фотоелектричних перетворювачів" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" стосуються чотирьох лабораторних робіт: "Визначення електронних параметрів діодних структур з анізотипним й ізотипним гомопереходами за їх темновими вольт-амперною та вольт-фарадною характеристиками", "Визначення часу життя і дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в опромінюваних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах", "Дослідження впливу умов опромінювання та магнітного поля на фотострум і вихідні параметри багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів з вертикальними діодними комірками", "Визначення області переважної рекомбінації в багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах з вертикальними діодними комірками за коефіцієнтом ідеальності їх діодної структури"