Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4914
Назва: Методичні вказівки до лабораторних робіт "Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками" з розділів модуля "Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур"
Автори: Копач, Володимир Романович
Хрипунов, Геннадій Семенович
Зайцев, Роман Валентинович
Кіріченко, Михайло Валерійович
Ключові слова: діодні структури; електронна техніка; вольт-амперна характеристика; вольт-фарадна характеристика; носії заряду; фотоелектричні перетворювачі; холостий хід; магнітне поле; фотострум; опромінювання; область переважної рекомбінації
Дата публікації: 2013
Видавництво: НТУ "ХПІ"
Бібліографічний опис: Методичні вказівки до лабораторних робіт "Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками" з розділів модуля "Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" : для студ. спец. 7(8).05080101 "Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої" / уклад. В. Р. Копач [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2013. – 59 с.
Короткий огляд (реферат): Методичні вказівки до лабораторних робіт з розділів "Дослідження властивостей і параметрів напівпровідникових структур за їх темновими вольт-амперними та амплітудно-часовими характеристиками", "Дослідження властивостей і параметрів напівпровідникових структур за їх вольт-фарадними характеристиками" й "Методи дослідження параметрів фотоелектричних перетворювачів" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" стосуються чотирьох лабораторних робіт: "Визначення електронних параметрів діодних структур з анізотипним й ізотипним гомопереходами за їх темновими вольт-амперною та вольт-фарадною характеристиками", "Визначення часу життя і дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в опромінюваних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах", "Дослідження впливу умов опромінювання та магнітного поля на фотострум і вихідні параметри багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів з вертикальними діодними комірками", "Визначення області переважної рекомбінації в багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах з вертикальними діодними комірками за коефіцієнтом ідеальності їх діодної структури"
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4914
Розташовується у зібраннях:Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
prohramy_2013_Doslidzhennia_elektronnykh.pdf1,75 MBAdobe PDFЕскіз
Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики  Google Scholar



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.