Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4914
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКопач, Володимир Романовичuk
dc.contributor.authorХрипунов, Геннадій Семеновичuk
dc.contributor.authorЗайцев, Роман Валентиновичuk
dc.contributor.authorКіріченко, Михайло Валерійовичuk
dc.date.accessioned2014-03-20T07:57:03Z-
dc.date.available2014-03-20T07:57:03Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationМетодичні вказівки до лабораторних робіт "Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками" з розділів модуля "Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" : для студ. спец. 7(8).05080101 "Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої" / уклад. В. Р. Копач [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2013. – 59 с.uk
dc.identifier.urihttp://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4914-
dc.description.abstractМетодичні вказівки до лабораторних робіт з розділів "Дослідження властивостей і параметрів напівпровідникових структур за їх темновими вольт-амперними та амплітудно-часовими характеристиками", "Дослідження властивостей і параметрів напівпровідникових структур за їх вольт-фарадними характеристиками" й "Методи дослідження параметрів фотоелектричних перетворювачів" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" стосуються чотирьох лабораторних робіт: "Визначення електронних параметрів діодних структур з анізотипним й ізотипним гомопереходами за їх темновими вольт-амперною та вольт-фарадною характеристиками", "Визначення часу життя і дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в опромінюваних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах", "Дослідження впливу умов опромінювання та магнітного поля на фотострум і вихідні параметри багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів з вертикальними діодними комірками", "Визначення області переважної рекомбінації в багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах з вертикальними діодними комірками за коефіцієнтом ідеальності їх діодної структури"uk
dc.language.isouk-
dc.publisherНТУ "ХПІ"uk
dc.subjectдіодні структуриuk
dc.subjectелектронна технікаuk
dc.subjectвольт-амперна характеристикаuk
dc.subjectвольт-фарадна характеристикаuk
dc.subjectносії зарядуuk
dc.subjectфотоелектричні перетворювачіuk
dc.subjectхолостий хідuk
dc.subjectмагнітне полеuk
dc.subjectфотострумuk
dc.subjectопромінюванняuk
dc.subjectобласть переважної рекомбінаціїuk
dc.titleМетодичні вказівки до лабораторних робіт "Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками" з розділів модуля "Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур"uk
dc.typeLearning Objecten
Appears in Collections:Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
prohramy_2013_Doslidzhennia_elektronnykh.pdf1,75 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.