Методичні вказівки до лабораторних робіт "Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками" з розділів модуля "Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур"

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2013

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

НТУ "ХПІ"

Анотація

Методичні вказівки до лабораторних робіт з розділів "Дослідження властивостей і параметрів напівпровідникових структур за їх темновими вольт-амперними та амплітудно-часовими характеристиками", "Дослідження властивостей і параметрів напівпровідникових структур за їх вольт-фарадними характеристиками" й "Методи дослідження параметрів фотоелектричних перетворювачів" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" стосуються чотирьох лабораторних робіт: "Визначення електронних параметрів діодних структур з анізотипним й ізотипним гомопереходами за їх темновими вольт-амперною та вольт-фарадною характеристиками", "Визначення часу життя і дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в опромінюваних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах", "Дослідження впливу умов опромінювання та магнітного поля на фотострум і вихідні параметри багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів з вертикальними діодними комірками", "Визначення області переважної рекомбінації в багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах з вертикальними діодними комірками за коефіцієнтом ідеальності їх діодної структури"

Опис

Ключові слова

діодні структури, електронна техніка, вольт-амперна характеристика, вольт-фарадна характеристика, носії заряду, фотоелектричні перетворювачі, холостий хід, магнітне поле, фотострум, опромінювання, область переважної рекомбінації

Бібліографічний опис

Методичні вказівки до лабораторних робіт "Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками" з розділів модуля "Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" : для студ. спец. 7(8).05080101 "Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої" / уклад. В. Р. Копач [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2013. – 59 с.