Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання
Дата
2016
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
ДП "Український інститут інтелектуальної власності"
Анотація
Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктурованих масивів цинк оксиду із конфігурацією шарів "провідна підкладка|наноZnO|тильний контакт". Формування наноструктурованих масивів ZnO здійснюють технологією електроосадження в імпульсному режимі із подальшим відпалом на повітрі при температурі 240-260 °C протягом 3-6 хв. Тильні контакти виконані у вигляді плівки алюмінію, сформованої вакуумним осадженням на верхніх торцях наноструктурованих масивів ZnO шляхом випаровування Al під кутом 65-75° від нормалі до підкладки. Освітлення здійснюють зі сторони підкладки з прозорого для ультрафіолету скла, вкритого прозорою для УФ електропровідною плівкою.
Опис
Ключові слова
патент, корисна модель, наноструктурованний масив, електроосадження, імпульсний режим, температура
Бібліографічний опис
Пат. на корисну модель 108516 Україна, МПК (2016.01) C25B 1/00 B82Y 40/00. Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання / Клєпікова К. С., Копач В. Р., Клочко Н. П., Кіріченко М. В., Зайцев Р. В., Хрипунов Г. С., Любов В. М. ; власник НТУ "ХПІ" (Україна). – № u 2015 12319 ; заявл. 14.12.2015 ; опубл. 25.07.2016, Бюл. № 14. – 7 с.