Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58015
Title: Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
Other Titles: Progressive methods of increasing and control nonequilibrium minority charge carriers lifetime in base crystals for high-performance silicon solar cells
Authors: Кириченко, Михаил Валерьевич
Зайцев, Роман Валентинович
Копач, Владимир Романович
Keywords: фотопроводимость; физические реакции; электрическая энергия; silicon base crystals; life time; nonequilibrium minority charge carriers; photoconductivity
Issue Date: 2009
Publisher: Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова Национальной академии наук Украины
Издательский дом "Академпериодика"
Citation: Кириченко М. В. Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей / М. В. Кириченко, Р. В. Зайцев, В. Р. Копач // Радиофизика и электроника. – 2009. – Т. 14, № 2. – С. 183-189.
Abstract: Приведены результаты исследований, усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследовались пластины p- и n-типов проводимости, предназначенные для изделий электронной техники и подвергнутые таким способам повышения в их приповерхностных областях, как геттерирующий отжиг и глубокое химическое травление. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений предложено использовать подвергнутые глубокому химическому травлению пластины кремния в качестве базовых кристаллов при создании отечественного ресурсосберегающего варианта многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками.
The characters of nonequilibrium minority charge carriers lifetime distribution along the thickness of single-crystal silicon wafers with p- and n-type of conductivity, intended for electronic technique hardware and exposed to such methods of the increase in their near-surface areas, as a gettering annealing and deep chemical etching, are presented. Such investigations were carried out by the improved method of stationary photoconductivity as well as by the standard method of photoconductivity decay. Using the exposed to deep chemical etching such silicon wafers as the base crystals for creation of resource-saving and high performance multijunction photovoltaic converters with vertical diode cells of new generation was suggested in the carried out comparative analysis results of received values.
ORCID: orcid.org/0000-0003-2286-8452
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58015
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
RE_2009_14_2_Kirichenko_Progressivnyie_metodyi.pdf269,72 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.