Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей

Ескіз

Дата

2009

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова Национальной академии наук Украины
Издательский дом "Академпериодика"

Анотація

Приведены результаты исследований, усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследовались пластины p- и n-типов проводимости, предназначенные для изделий электронной техники и подвергнутые таким способам повышения в их приповерхностных областях, как геттерирующий отжиг и глубокое химическое травление. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений предложено использовать подвергнутые глубокому химическому травлению пластины кремния в качестве базовых кристаллов при создании отечественного ресурсосберегающего варианта многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками.
The characters of nonequilibrium minority charge carriers lifetime distribution along the thickness of single-crystal silicon wafers with p- and n-type of conductivity, intended for electronic technique hardware and exposed to such methods of the increase in their near-surface areas, as a gettering annealing and deep chemical etching, are presented. Such investigations were carried out by the improved method of stationary photoconductivity as well as by the standard method of photoconductivity decay. Using the exposed to deep chemical etching such silicon wafers as the base crystals for creation of resource-saving and high performance multijunction photovoltaic converters with vertical diode cells of new generation was suggested in the carried out comparative analysis results of received values.

Опис

Ключові слова

фотопроводимость, физические реакции, электрическая энергия, silicon base crystals, life time, nonequilibrium minority charge carriers, photoconductivity

Бібліографічний опис

Кириченко М. В. Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей / М. В. Кириченко, Р. В. Зайцев, В. Р. Копач // Радиофизика и электроника. – 2009. – Т. 14, № 2. – С. 183-189.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced