Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Вантажиться...
Ескіз

Дата

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник/консультант

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова Национальной академии наук Украины
Издательский дом "Академпериодика"

Анотація

Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.
The investigated values of lifetime and diffusion length L of minority charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received and L values.

Опис

Бібліографічний опис

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М. В. Кириченко [и др.] // Радиофизика и электроника. – 2007. – Т. 12, № 1. – С. 255-262.

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в