Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58024
Title: Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей
Other Titles: Application of ITO/Al reflectors for increase of single-crystal silicon solar cells efficiency
Authors: Копач, Владимир Романович
Кириченко, Михаил Валерьевич
Хрипунов, Геннадий Семенович
Зайцев, Роман Валентинович
Keywords: солнечная энергия; физические реакции; тыльно-поверхностные рефлекторы; электрический ток; диодные ячейки; solar cells; physical reactions; rear surface reflectors; electric current; diode cells
Issue Date: 2010
Publisher: Наука
Citation: Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей / В. Р. Копач [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2010. – Т. 44, вып. 6. – С. 801-806.
Abstract: Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия–олова (ITO) толщиной 0.25−2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.
It is shown that to increase the efficiency and to improve manufacturability of one-junction single crystal silicon photovoltaic converters of solar energy it is necessary to use backsurface reflector on the base of conducting transparent indiumtin oxide (ITO) 0.25−2 μm thick. For the efficiency increase and reduction of sensitiveness to angle of light incidence on the photoreceiving surface of multi-junction photovoltaic converters with vertical diode cells on the base of single crystal silicon it is essential to create along the vertical borders of diode cells reflectors from ITO/Al with ITO layer thickness more than 1 μm. The experimental studies fulfilled on the multi-junction photovoltaic converters with ITO/Al reflectors on the borders of the diode cells shown that the technique of ITO layers preparation needed modernization to obtaine ITO layer thickness close to the theoretical value.
ORCID: orcid.org/0000-0002-6448-5938
orcid.org/0000-0003-2286-8452
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58024
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
FTP_2010_44_6_Kopach_Primenenie_reflektorov.pdf556,51 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.