Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58032
Title: Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
Other Titles: The barrier n-ZnO/p-CuI heterostructure based on the electrodeposited in a pulsed mode zinc oxide nanoarrays and copper iodide films made by SILAR
Authors: Клочко, Наталья Петровна
Копач, Владимир Романович
Хрипунов, Геннадий Семенович
Корсун, Валерия Евгеньевна
Волкова, Неонила Дмитриевна
Любов, Виктор Николаевич
Кириченко, Михаил Валерьевич
Копач, А. В.
Жадан, Дмитрий Олегович
Отченашко, А. Н.
Keywords: физические реакции; ультрафиолетовое излучение; электрическая энергия; импульсы; вольт-амперные характеристики; напряжение; электроды; physical reactions; UV radiation; electric power; impulses; volt-ampere characteristics; voltage; electrodes
Issue Date: 2017
Publisher: Наука
Citation: Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди / Н. П. Клочко [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2017. – Т. 51, вып. 6. – С. 821-829.
Abstract: В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365−370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление, последовательное сопротивление, коэффициент выпрямления диода K = 17.6, высота выпрямляющего барьера p−n-перехода 8 = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода η = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 < U < 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения составили для механизма рекомбинации и туннельного переноса и для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.
Semitransparent p-CuI/n-ZnO barrier heterostructure investigated as a forward-looking device diode base for a near UV detector. The analyses of the crystal structure, electrical and optical properties of the pulse electrodeposited zinc oxide nanoarrays and copper iodide films made by SILAR were performed, on the base of which the n-ZnO/p-CuI barrier heterostructure sensitive to UV radiation in the spectral range 365−370 nm was created. By means of current-voltage characteristics the shunt resistance, the series resistance, the diode rectification coefficient K = 17.6, the rectifying barrier height of the p−n junction 8 = 1.1 eV and the ideality factor η = 2.4 were obtained. It is shown that the both recombination and tunneling of charge carriers are at small forward biases 0 < U < 0.15. When the voltage is above 0.15 V the transfer mechanism becomes tunnel-recombination. Values of the diode saturation current densities for the recombination and tunneling mechanism and for the tunnel-recombination mechanism of charge carrier transport.
DOI: doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44563.8450
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58032
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
FTP_2017_51_6_Klochko_Barernaya_geterostruktura.pdf991,67 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.