Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58094
Title: Increasing of the effectiveness of the industrial silicon photo-electric transformers for the hybrid photo-power module
Other Titles: Підвищення ефективності промислових кремнієвих фотоелектричних перетворювачів для гібридного фотоенергетичного модуля
Authors: Zaytsev, R. V.
Kirichenko, M. V.
Zaytseva, L. V.
Veselova, N. V.
Keywords: photo-electric transformers; crystal silicon; an efficiency; exit parameters; light diode characteristics; кристалічний кремній; коефіцієнт корисної дії; світлові діодні характеристики; електрична енергія; напруга
Issue Date: 2017
Publisher: Луцький національний технічний університет
Citation: Increasing of the effectiveness of the industrial silicon photo-electric transformers for the hybrid photo-power module / R. V. Zaytsev [et al.] // Наукові нотатки : міжвуз. зб. (за галузями знань "Технічні науки") / ред. кол.: В. Д. Рудь [та ін.] ; Луц. нац. техн. ун-т. – Луцьк : ЛНТУ, 2017. – Вип. 59. – С. 119-125.
Abstract: Possibilities of increase in effectiveness over 20% for Chinese made silicon photo-electric transformers have been investigated. By the method of computer designing operation it is established that the lifetimes of nonequilibrium charge carriers realized in such photo-electric transformers which make 520 mcs do not limit a possibility of increasing their efficiency over 20%. It is shown that increase in density of a photo current up to 43.1 mA/cm² leads up to 20.1% to body height of efficiency, and decrease in density of the diode saturation current to 3.1∙10⁻¹‌⁴ A/cm² - causes body height of efficiency to 20.4%. Simultaneous change of these of a diode characteristic leads to increase of efficiency up to 23.1%. In work physicotechnological approaches for increase in density of a photo current and decrease of density of the diode saturation current in ready photo-electric transformers are offered.
Досліджено можливості підвищення ефективності понад 20% для кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Методом комп'ютерного моделювання встановлено, що реалізовані в таких фотоелектричних перетворювачів часи життя нерівноважних носіїв заряду, які складають 520 мкс, не обмежують можливість збільшення їх ККД понад 20%. Показано, що збільшення щільності фотоструму до 43.1 мА / см² призводить до зростання ККД до 20.1%, а зниження щільності діодного струму насичення до 3.1 ∙ 10⁻¹⁴A / см² - зумовлює зростання ККД до 20.4%. Одночасна зміна цих діодних характеристики призводить до збільшення ККД до 23.1%. У роботі пропонуються фізико-технологічні підходи для збільшення щільності фотоструму і зменшення щільності діодного струму насичення в готових фотоелектричних перетворювачів.
ORCID: orcid.org/0000-0003-2286-8452
orcid.org/0000-0002-4847-506X
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58094
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Nauk_notatky_2017_59_Zaytsev_Increasing.pdf437,25 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.