Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58113
Назва: Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field
Інші назви: Підвищення ККД монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів у магнітному полі
Автори: Zaitsev, R. V.
Kopach, V. R.
Kirichenko, M. V.
Lukyanov, E. O.
Khrypunov, G. S.
Samofalov, V. N.
Ключові слова: single-crystal silicon solar cells; electrode; magnetic field; induction; коефіцієнт корисної дії; електрична енергія; індукція; напруга
Дата публікації: 2010
Видавництво: Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals"
Бібліографічний опис: Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field / R. V. Zaitsev [et al.] // Functional materials. – 2010. – Vol. 17, No.4. – P. 554-557.
Короткий огляд (реферат): It is established in experiment that efficiency of unijunction (UJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n⁺-p-p⁺ diode structure may increase by a factor of approximately 1.1 after their holding at room temperature during 7 days in perpendicularly oriented stationary magnetic field with 0.2 T induction. The subsequent stabilizing of the obtained positive effect is shown to be realizable by attachment of a thin magnetic vinyl layer (creating in the UJ Si-SC base crystal a magnetic field with induction not exceeding 0.05 T) to the UJ Si-SC at the back electrode side.
Експериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) з горизонтальною діодною n⁺-p-p⁺ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх витримування при кімнатній температурі протягом 7 діб у перпендикулярно орієнтованому стаціонарному магнітному полі з індукцією 0,2 Тл. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, який створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл.
ORCID: orcid.org/0000-0003-2286-8452
orcid.org/0000-0002-4847-506X
orcid.org/0000-0002-6448-5938
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58113
Розташовується у зібраннях:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
FM_2010_17_4_Zaitsev_Single_crystal.pdf714,18 kBAdobe PDFВідкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики  Google Scholar



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.