Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58113
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorZaitsev, R. V.en
dc.contributor.authorKopach, V. R.en
dc.contributor.authorKirichenko, M. V.en
dc.contributor.authorLukyanov, E. O.en
dc.contributor.authorKhrypunov, G. S.en
dc.contributor.authorSamofalov, V. N.en
dc.date.accessioned2022-09-22T09:57:14Z-
dc.date.available2022-09-22T09:57:14Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationSingle-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field / R. V. Zaitsev [et al.] // Functional materials. – 2010. – Vol. 17, No.4. – P. 554-557.en
dc.identifier.urihttp://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58113-
dc.description.abstractIt is established in experiment that efficiency of unijunction (UJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n⁺-p-p⁺ diode structure may increase by a factor of approximately 1.1 after their holding at room temperature during 7 days in perpendicularly oriented stationary magnetic field with 0.2 T induction. The subsequent stabilizing of the obtained positive effect is shown to be realizable by attachment of a thin magnetic vinyl layer (creating in the UJ Si-SC base crystal a magnetic field with induction not exceeding 0.05 T) to the UJ Si-SC at the back electrode side.en
dc.description.abstractЕкспериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) з горизонтальною діодною n⁺-p-p⁺ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх витримування при кімнатній температурі протягом 7 діб у перпендикулярно орієнтованому стаціонарному магнітному полі з індукцією 0,2 Тл. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, який створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл.uk
dc.language.isoen-
dc.publisherScientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals"en
dc.subjectsingle-crystal silicon solar cellsen
dc.subjectelectrodeen
dc.subjectmagnetic fielden
dc.subjectinductionen
dc.subjectкоефіцієнт корисної діїuk
dc.subjectелектрична енергіяuk
dc.subjectіндукціяuk
dc.subjectнапругаuk
dc.titleSingle-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic fielden
dc.title.alternativeПідвищення ККД монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів у магнітному поліuk
dc.typeArticleen
dc.identifier.orcidorcid.org/0000-0003-2286-8452-
dc.identifier.orcidorcid.org/0000-0002-4847-506X-
dc.identifier.orcidorcid.org/0000-0002-6448-5938-
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
FM_2010_17_4_Zaitsev_Single_crystal.pdf714,18 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.