Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58114
Title: Багатоперехідні кремнієві фотоперетворювачі як сенсори у системах оптичної локації
Other Titles: Multijunction silicon photoconverters as sensors in optical location systems
Authors: Кіріченко, Михайло Валерійович
Копач, Володимир Романович
Зайцев, Роман Валентинович
Куца, Н. В.
Крикун, К. Ю.
Keywords: рефлектори; електрична енергія; кут падіння світла; коефіцієнт відбиття; photoconverter; reflector; light incidence angle; reflection coefficient; parameters
Issue Date: 2011
Publisher: Астропринт
Citation: Багатоперехідні кремнієві фотоперетворювачі як сенсори у системах оптичної локації / М. В. Кіріченко [та ін.] // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології = Sensor electronics and microsystem technologies. – 2011. – Т. 2 (8), № 2. – С. 45-49.
Abstract: Наведені результати експериментального та теоретичного дослідження можливост і використання багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) як сенсорів у системах оптичної локації. Експериментально встановлено, що досліджуваним багатоперехідним ФЕП притаманний лінійний характер спаду залежності напруги холостого ходу норм та струму короткого замикання норм зі збільшенням величини кута α надходження випромінювання до їх фотоприймальної поверхні. Запропоновані напрямки подальшого удосконалення конструкції багатоперехідних ФЕП, реалізація яких дозволить полегшити реєстрацію сигналу від сенсора вимірювальним приладом та більш гнучко керувати характером спаду залежності норм за рахунок спрямованого регулювання часу життя неосновних носіїв заряду у базових кристалах.
The results of theoretical and experimental researches of using multijunction silicon photo-voltaic converters (PVC) as sensors in optical location systems are presented. It is established, that investigated multijunction PVC has linear character of for increase of PVC efficiency is necessary to achieve the increased values of minority charge carriers lifetime in their base crystals and reflection coefficient from metal/Si interfaces inside multijunction PVC, while for using such PVC in systems for direction of radiation propagation determination the forced reduction of these values is reasonable.
ORCID: orcid.org/0000-0002-4847-506X
orcid.org/0000-0003-2286-8452
DOI: doi.org/10.18524/1815-7459.2011.2.116711
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58114
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
SEMT_2011_8_2_Kirichenko_Bahatoperekhidni.pdf219,88 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.