Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58115
Title: Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей
Other Titles: Influence of geometric parameters and type of conductivity of silicon base crystalls on the solar cells efficiency
Authors: Кириченко, Михаил Валерьевич
Зайцев, Роман Валентинович
Копач, Владимир Романович
Антонова, В. А.
Листратенко, А. М.
Keywords: электрическая энергия; напряжение; коэффициент полезного действия; кремний; диоды; solar cells; silicon base crystals; type of conductivity; thickness; parameters
Issue Date: 2007
Publisher: Астропринт
Citation: Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей / М. В. Кириченко [и др.] // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології = Sensor electronics and microsystem technologies. – 2007. – № 4. – С. 54-58.
Abstract: Представлены результаты исследований исходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления исходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами разной толщины и типа проводимости обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного назначения на основе кристаллов кремния n типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.
The investigated values of solar cells (SC) output and diode parameters made on the basis of and n-type of conductivity silicon base crystals with a thickness from 190 to 375 μm are presented. By comparison of SC output and diode parameters with base crystals of various thickness and type of conductivity the expediency of high efficiency Ukrainian SC creation for terrestrial application with the single crystals of n- type conductivity and thickness no more then 190-200 μm is grounded.
ORCID: orcid.org/0000-0002-4847-506X
orcid.org/0000-0003-2286-8452
DOI: doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114167
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58115
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
SEMT_2007_4_Kirichenko_Vliyanie.pdf223,41 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.