Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58117
Title: Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова
Other Titles: Tin Sulfide Films Obtained by Sulfurization of Electrodeposited Tin Precursors
Authors: Клочко, Наталья Петровна
Момотенко, Александра Витальевна
Любов, Виктор Николаевич
Волкова, Неонила Дмитриевна
Копач, Владимир Романович
Хрипунов, Геннадий Семенович
Кириченко, Михаил Валерьевич
Зайцев, Роман Валентинович
Keywords: электрохимическое осаждение; элеткронные полупроводники; сульфид олова; оптоэлектроника; солнечные элементы; tin sulfide; electrochemical deposition; sulfurization; precursor; semiconductor
Issue Date: 2015
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова / Н. П. Клочко [и др.] // Журнал нано- та електронної фізики = Journal of nano- and electronic physics. – 2015. – Т. 7, № 1. – С. 01014-1–01014-9.
Abstract: Работа посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах.
This article is devoted to the development of cost-effective and suitable for large-scale production method for obtaining thin films of tin sulfide SnS for photovoltaic applications. Thin films of SnS with orthorhombic structure (Herzenbergite) were synthesized by sulfurization in sulfur vapor of tin films electrodeposited from a standard tinning solution. SnS synthesized polycrystalline material was an electronic semiconductor with bandgap and optical absorption coefficient optimum for utilization in solar cell.
ORCID: orcid.org/0000-0002-6448-5938
orcid.org/0000-0002-4847-506X
orcid.org/0000-0003-2286-8452
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58117
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
JNEP_2015_7_1_Klochko_Plenki.pdf798,61 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.