Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58117
Название: Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова
Другие названия: Tin Sulfide Films Obtained by Sulfurization of Electrodeposited Tin Precursors
Авторы: Клочко, Наталья Петровна
Момотенко, Александра Витальевна
Любов, Виктор Николаевич
Волкова, Неонила Дмитриевна
Копач, Владимир Романович
Хрипунов, Геннадий Семенович
Кириченко, Михаил Валерьевич
Зайцев, Роман Валентинович
Ключевые слова: электрохимическое осаждение; элеткронные полупроводники; сульфид олова; оптоэлектроника; солнечные элементы; tin sulfide; electrochemical deposition; sulfurization; precursor; semiconductor
Дата публикации: 2015
Издательство: Сумський державний університет
Библиографическое описание: Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова / Н. П. Клочко [и др.] // Журнал нано- та електронної фізики = Journal of nano- and electronic physics. – 2015. – Т. 7, № 1. – С. 01014-1–01014-9.
Краткий осмотр (реферат): Работа посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах.
This article is devoted to the development of cost-effective and suitable for large-scale production method for obtaining thin films of tin sulfide SnS for photovoltaic applications. Thin films of SnS with orthorhombic structure (Herzenbergite) were synthesized by sulfurization in sulfur vapor of tin films electrodeposited from a standard tinning solution. SnS synthesized polycrystalline material was an electronic semiconductor with bandgap and optical absorption coefficient optimum for utilization in solar cell.
ORCID: orcid.org/0000-0002-6448-5938
orcid.org/0000-0002-4847-506X
orcid.org/0000-0003-2286-8452
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58117
Располагается в коллекциях:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
JNEP_2015_7_1_Klochko_Plenki.pdf798,61 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики  Google Scholar



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.