Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58117
Назва: Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова
Інші назви: Tin Sulfide Films Obtained by Sulfurization of Electrodeposited Tin Precursors
Автори: Клочко, Наталья Петровна
Момотенко, Александра Витальевна
Любов, Виктор Николаевич
Волкова, Неонила Дмитриевна
Копач, Владимир Романович
Хрипунов, Геннадий Семенович
Кириченко, Михаил Валерьевич
Зайцев, Роман Валентинович
Ключові слова: электрохимическое осаждение; элеткронные полупроводники; сульфид олова; оптоэлектроника; солнечные элементы; tin sulfide; electrochemical deposition; sulfurization; precursor; semiconductor
Дата публікації: 2015
Видавництво: Сумський державний університет
Бібліографічний опис: Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова / Н. П. Клочко [и др.] // Журнал нано- та електронної фізики = Journal of nano- and electronic physics. – 2015. – Т. 7, № 1. – С. 01014-1–01014-9.
Короткий огляд (реферат): Работа посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах.
This article is devoted to the development of cost-effective and suitable for large-scale production method for obtaining thin films of tin sulfide SnS for photovoltaic applications. Thin films of SnS with orthorhombic structure (Herzenbergite) were synthesized by sulfurization in sulfur vapor of tin films electrodeposited from a standard tinning solution. SnS synthesized polycrystalline material was an electronic semiconductor with bandgap and optical absorption coefficient optimum for utilization in solar cell.
ORCID: orcid.org/0000-0002-6448-5938
orcid.org/0000-0002-4847-506X
orcid.org/0000-0003-2286-8452
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58117
Розташовується у зібраннях:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
JNEP_2015_7_1_Klochko_Plenki.pdf798,61 kBAdobe PDFВідкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики  Google Scholar



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.