Публікація: Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів
Вантажиться...
Дата
DOI
Назва видання
ISSN
Назва тому
Видання
Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
Анотація
Опис
Ключові слова
напівпровідникові прилади, електрична енергія, метод Чохральського, фізичні реакції, хімічні реакції
Бібліографічний опис
Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів / Г. М. Дорошенко [та ін.] // IV Міжнародна науково-практична студентська конференція магістрантів : матеріали конф., 2010 р. / Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т" [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2010. – С. 100-101.