Разработка базовых слоёв диоксида олова для газовых датчиков абсорбционно-полупроводникового типа
Вантажиться...
Дата
2013
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Проведны исследования газочуствительности пленок диоксида олова, полученных методом химического осаждения из паровой фазы, для создания базовых слоев газових датчиков абсорбционно-полупроводникового типа путем измерений температурных зависимостей поверхностной электропроводности. Экспериментально установлена зависимость газочувствительности пленок диоксида олова от его температуры при одновременно присутствующих в различных концентрациях газов монооксида азота и кислорода в смеси с азотом, а также при различных концентрациях монооксида азота и диоксида азота в воздухе. Идентифицирована зависимость от температуры газочувствительности пленок диоксида олова к примеси паров этилового спирта в воздухе(С C2H5OH = 10000 ppm) и к примеси паров аммиака в воздухе (С NH3 = 6600 ppm). Исследована газочувствительность пленок SnO2 при различных концентрациях примеси паров C2H5OH и NH3 в воздухе при температуре 450 ̊ C. Установлена температурная зависимость времени восстановления электрических свойств пленок после взаимодействия с парами этилового спирта(С C2H5OH = 10000 ppm) и аммиака (С NH3 = 6600 ppm) в воздухе.
By a measuring оf surface conductivity versus temperature dependences for tin dioxide films deposited by chemical vapor deposition (CVD) we researched their gas sensitivity with the aim to develop a gas sensor of absorption- semiconductor type. Gas sensitivities of tin dioxide films at the different temperatures in the presence of various concentration of nitrogen monoxide, oxygen and nitrogen in gas mixtures as such as in the nitrogen monoxide and nitrogen dioxide mixture in the air were obtained experimentally. A temperature dependences of the tin dioxide films gas-sensitivity for an ethyl alcohol impurity the in the air (SC2H5OH = 10000ppm) and ammonia vapor in the air (SNH3 = 6600ppm) were identified. The gas sensitivity of the SnO2 films with the different concentrations of C2H5OH and NH3 vapor impurities in the air at 450o C was investigated. The temperature dependence of the recovery of the tin dioxide films electrical properties after their reaction with ethyl alcohol (SC2H5OH = 10000ppm) and ammonia (SNH3 = 6600ppm) vapors of in the air were researchedv
By a measuring оf surface conductivity versus temperature dependences for tin dioxide films deposited by chemical vapor deposition (CVD) we researched their gas sensitivity with the aim to develop a gas sensor of absorption- semiconductor type. Gas sensitivities of tin dioxide films at the different temperatures in the presence of various concentration of nitrogen monoxide, oxygen and nitrogen in gas mixtures as such as in the nitrogen monoxide and nitrogen dioxide mixture in the air were obtained experimentally. A temperature dependences of the tin dioxide films gas-sensitivity for an ethyl alcohol impurity the in the air (SC2H5OH = 10000ppm) and ammonia vapor in the air (SNH3 = 6600ppm) were identified. The gas sensitivity of the SnO2 films with the different concentrations of C2H5OH and NH3 vapor impurities in the air at 450o C was investigated. The temperature dependence of the recovery of the tin dioxide films electrical properties after their reaction with ethyl alcohol (SC2H5OH = 10000ppm) and ammonia (SNH3 = 6600ppm) vapors of in the air were researchedv
Опис
Ключові слова
пленки диоксида олова, газочуствительность, поверхностная электропроводность, tin dioxide film, gas sensitivity, surface conductivity, chemical vapor deposition
Бібліографічний опис
Разработка базовых слоёв диоксида олова для газовых датчиков абсорбционно-полупроводникового типа / Г. С. Хрипунов [и др.] // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит = Energy saving. Power engineering. Energy audit. – 2013. – № 8. – Спец. вып. Т. 1 : К 50-летию со дня основания кафедры промышленной и биомедицинской электроники Национального технического университета "Харьковского политехнического института". – С. 179-182.