Электроосаждённые пленочные композиции для прекурсоров кестеритных солнечных элементов

Abstract

Представлены результаты сравнительного анализа структуры и морфологии поверхности пленок меди, олова, цинка и их слоевых композиций, изготовленных путем электрохимического осаждения в гальваностатическом стационарном режиме, в гальваностатическом режиме с ультразвуковым перемешиванием электролитов, в прямом импульсном и реверсивном импульсном режимах с прямоугольной формой импульсов потенциала. Изучено влияние режимов электроосаждения на структуру, оптические свойства и морфологию поверхности аморфных и кристаллических пленок селена. Путем последовательного электрохимического осаждения изготовлены пленочные композиции Cu/Zn/Sn/Se и Cu/Sn/Zn/Se, являющиеся моделями прекурсоров кестерита. Такие прекурсоры после их преобразования путем последующих отжигов в полупроводниковый материал Cu2ZnSnSe4 будут использованы в качестве базовых слоев дешевых и эффективных тонкопленочных солнечных элементов нового поколения.A comparative analysis of structure andsurface morphology of copper, tin, zinc films andfilm stacks madeby electrochemicaldepositionin galvanostaticsteady-state conditions, in galvanostatic modewith ultrasonicagitationof electrolytes,in the forwardpulse andreversepulse modeswith a rectangularpulses has been shown.The influence of themodesof electrodepositionon the structure, optical properties and surface morphology of theamorphous and crystalline selenium films presented.By sequentialelectrochemical deposition the film stacks Cu/Zn/Sn/Se andCu/Sn/Zn/Se were obtained, which are models ofkesterite precursors.Theseprecursorsafter theirconversion intoCu2ZnSnSe4 semiconductorsbysubsequent annealingwill be used asbase layers ofcheap and efficientthin film solar cellsof the new generation