Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS
Вантажиться...
Дата
2016
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
Анотація
З метою створення нової конструкції сонячного елемента (СЕ) з наноструктурованим одновимірним (1-D) шаром ZnO, сенсибілізованим квантовими точками (КТ) SnS, застосоване імпульсне електроосадження масивів 1-D ZnO, а також нанесення квантових точок SnS і тонкої плівки широкозонного напівпровідника р-типу CuSCN методом рідиннофазного молекулярного нашарування (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR). В роботі досліджені морфологія, структура і оптичні властивості всіх напівпровідникових шарів. Продемонстровано діодну характеристику розробленої нами нової конструкції СЕ на КТ, яка підтверджує її функціональність.
In order to create a new design of the solar cell (SC) with nanostructured one-dimensional (1-D) ZnO layer sensitized by quantum dots (QDs) SnS, we used pulsed electrodeposition of 1-D ZnO arrays. The application of SnS quantum dots and wide bandgap semiconductor p-CuSCN thin film have been made by a liquid-phase Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method,. The work investigated morphology, structure and optical properties of the semiconductor layers and demonstrated diode characteristics of a new design SE on QDs we have developed, that confirmed its functionality.
In order to create a new design of the solar cell (SC) with nanostructured one-dimensional (1-D) ZnO layer sensitized by quantum dots (QDs) SnS, we used pulsed electrodeposition of 1-D ZnO arrays. The application of SnS quantum dots and wide bandgap semiconductor p-CuSCN thin film have been made by a liquid-phase Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method,. The work investigated morphology, structure and optical properties of the semiconductor layers and demonstrated diode characteristics of a new design SE on QDs we have developed, that confirmed its functionality.
Опис
Ключові слова
імпульсне електроосадження, метод рідиннофазного молекулярного нашарування, фотоелектричне перетворення, хімічні реакціїї, напівпровідникові шари, solar cell, 1-D ZnO, SnS quantum dot, pulse electrodeposition, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction
Бібліографічний опис
Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS / Н. П. Клочко [та ін.] // Електротехніка і Електромеханіка. – 2016. – Т. 4, № 2. – С. 16-20.