Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2016

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

Наука

Анотація

Показана возможность создания высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка недорогим и приспособленным для крупномасштабного производства методом импульсного электроосаждения из водных растворов без использования каких-либо водоотталкивающих покрытий. Определены условия осаждения высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка, проявляющих "эффект лепестка розы", с определенными морфологией, оптическими свойствами, кристаллической структурой и текстурой. Изготовленные нами наноструктуры ZnO являются перспективным для микро- и наноэлектроники адаптивным материалом, способным под воздействием ультрафиолетового облучения обратимо переходить в гидрофильное состояние.
In this paper, the possibility of creating of high hydrophobic nanostructured zinc oxide layers without any water repellent coatings were made by means of pulsed electrodeposition from aqueous solutions, an inexpensive and adapted for largescale production method. The conditions for deposition of high hydrophobic nanostructured zinc oxide layers characterized by "rose petal effect" with specific morphology, optical properties, crystal structure and texture have been revealed. The prepared ZnO nanostructures are promising for micro- and nanoelectronics as an adaptive material capable for reversible transformation into a hydrophilic state under the influence of ultraviolet radiation.

Опис

Ключові слова

химические реакции, смачиваемость, импульсы, ультрафиолетовое излучение, физические элементы, electrodeposition, zinc oxide, impulses, chemical reactions, micro- and nanoelectronics

Бібліографічний опис

Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения / Н. П. Клочко [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т. 50, вып. 3. – С. 357-368.