Influence of UV light of extraterrestrial solar irradiance on structure and properties of ZnO films prepared through pulsed electrochemical deposition and via SILAR method
Вантажиться...
Дата
2018
ORCID
DOI
10.21272/jnep.10(6).06038
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Сумський державний університет
Анотація
The investigations of effect of long-wave (UVA) and short-wave (UVC) ultraviolet light of extraterres-trial solar irradiance on the nanostructured zinc oxide arrays, which were grown by pulsed electrodeposition, as well as on the ZnO and ZnO:In films produced by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction technique (SILAR) confirmed their suitability as UVA-active photosensitive materials. The crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties found no obvious significant destructive changes after UVC irradiation. However, we detected some irreversible changes in the nature of point defects under the influence of UVC, which affect the ZnO and ZnO:In resistivity, activation energy, photosensitivity and thermoelectrical properties.
Дослідження впливу довгохвильового (УФА) і короткохвильового (УФС) ультрафіолетового випромінювання позаземної сонячної радіації на наноструктуровані масиви оксиду цинку, які були вирощені імпульсним електроосадженням, а також на плівки ZnO і ZnO:In, виготовлені методом послідовної адсорбції і реакції іонних шарів (SILAR) підтвердили їх придатність в якості УФА-активних фоточутливих матеріалів. Кристалічна структура, морфологія поверхні, хімічний склад і оптичні властивості не виявили явних, значних, деградуючих змін після УФС опромінення. Однак, ми виявили деякі незворотні зміні в природі точкових дефектів під впливом УФС, які впливають на питомий електроопір, енергію активації, фоточутвливість і термоелектричні властивості ZnO і ZnO:In.
Дослідження впливу довгохвильового (УФА) і короткохвильового (УФС) ультрафіолетового випромінювання позаземної сонячної радіації на наноструктуровані масиви оксиду цинку, які були вирощені імпульсним електроосадженням, а також на плівки ZnO і ZnO:In, виготовлені методом послідовної адсорбції і реакції іонних шарів (SILAR) підтвердили їх придатність в якості УФА-активних фоточутливих матеріалів. Кристалічна структура, морфологія поверхні, хімічний склад і оптичні властивості не виявили явних, значних, деградуючих змін після УФС опромінення. Однак, ми виявили деякі незворотні зміні в природі точкових дефектів під впливом УФС, які впливають на питомий електроопір, енергію активації, фоточутвливість і термоелектричні властивості ZnO і ZnO:In.
Опис
Ключові слова
extraterrestrial UV light, zinc oxide, pulse electrodeposition, successive ionic layer adsorption and reaction technique, point defect, позаземне УФ випромінювання, оксид цинку, імпульсне електроосадження, точковий дефект
Бібліографічний опис
Influence of UV light of extraterrestrial solar irradiance on structure and properties of ZnO films prepared through pulsed electrochemical deposition and via SILAR method / N. P. Klochko [et al.] // Журнал нано- и электронной физики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2018. – Т. 10, № 6. – С. 06038-1–06038-13.