Напівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСокол, Євген Івановичuk
dc.contributor.authorКлочко, Наталя Петрівнаuk
dc.contributor.authorКривошеєв, Сергій Юрійовичuk
dc.contributor.authorМомотенко, Олександра Віталіївнаuk
dc.contributor.authorЛюбов, Віктор Миколайовичuk
dc.contributor.authorКопач, Володимир Романовичuk
dc.contributor.authorКіріченко, Михайло Валерійовичuk
dc.contributor.authorЗайцев, Роман Валентиновичuk
dc.contributor.authorВолкова, Неоніла Дмитрівнаuk
dc.date.accessioned2015-05-14T07:43:47Z
dc.date.available2015-05-14T07:43:47Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractПредставлена економічна і придатна для використання в масовому виробництві методика отримання моносульфіду олова з орторомбічною структурою герценбергіта шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок металу, електроосаджених зі стандартного електроліту олов'янування. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання.uk
dc.description.abstractA comparative analysis of two techniques for the electrochemical deposition of tin sulfide base layers for thin film solar cells has been fulfilled. One-step technique consisted in a direct electrodeposition of tin sulfide semiconductor layers proved to be ineffective. A new economical two-stage technique suitable for use in mass production is presented for producing of orthorhombic herzenbergite type tin monosulfide (β-SnS) by sulfurization of tin films electrodeposited from a standard electrolyte in sulfur vapor. The synthesized polycrystalline SnS is an electronic semiconductor with resistivity ρSnS ≈ 5–9 kOhm cm. The SnS films are characterized by direct optical transitions, band gap Eg ≈ 1.1–1.2 eV and optical absorption coefficient α = (3–3.5)*10⁴ cm⁻¹ in the visible and near-infrared spectra. Hence on the amount of physical and chemical characteristics they are promising for use as base layers of thin film solar cells of a new generation.en
dc.identifier.citationНапівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементів / Є. І. Сокол [та ін.] // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит = Energy saving. Power engineering. Energy audit. – 2014. – № 9. – Спец. вып. Т. 1 : Силовая электроника и энергоэффективность. – С. 128-132.uk
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/14645
dc.language.isouk
dc.publisherНТУ "ХПІ"uk
dc.subjectелектроосадженняuk
dc.subjectпрекурсорuk
dc.subjectсульфурізаціяuk
dc.subjectгерценбергітuk
dc.subjectметалuk
dc.subjectелектролітuk
dc.subjectelectrodepositionen
dc.subjecttin sulfideen
dc.subjectsolar cellen
dc.subjectprecursoren
dc.subjectsulfurizationen
dc.titleНапівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементівuk
dc.title.alternativeSemiconducting layers for tin sulfide thin film solar cellsen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
EEE_2014_9_T_1_Sokol_Napivprovidnykovi.pdf
Розмір:
349.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Туризм i готельно-ресторанний бізнес"
Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"
Кафедра "Промислова і біомедична електроніка"