Оптимизация тепловых условий выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЧервоный, И. Ф.ru
dc.contributor.authorГолев, Е. А.ru
dc.date.accessioned2014-12-22T12:31:24Z
dc.date.available2014-12-22T12:31:24Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractРассмотрены приемы оптимизации теплового узла для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского. Для создания заданных тепловых условий выращивания монокристаллов в конструкцию теплового узла вводятся дополнительные теплоизолирующие экраны и специальный верхний конусный экран. Совместное действие системы дополнительных экранов и расположение теплового узла позволило снизить непроизводительные потери тепла, в результате чего потребляемая нагревателем мощность снизилась на 33 %.ru
dc.description.abstractWe propose an optimized thermal unit installation expressed schivani-ya-silicon single crystals by the Czochralski method with the introduction of additional thermal insulation screens and change the location of the main elements of the thermal unit in the cell cultivation. Upgraded heating unit contained three additional insulating screen made of a composite material based on carbon-coated pirografitovym: double screen cylinder forms the lower horizontal screen and the top screen of the conical shape. The combined action of additional screens and the location of the thermal unit, in the lowest possible position it possible to reduce wasteful heat loss, resulting in consumption of the heater power has decreased by 33 %. Impact of additional heat-insulating screen of conical shape has led to optimization of the temperature distribution on the surface of the silicon melt near the solidification front as well as the walls of the crucible and in the grown single crystal. It is possible to increase the speed of the single crystal growing by 44 % and the productivity of the process of growing by 34 %.en
dc.identifier.citationЧервоный И. Ф. Оптимизация тепловых условий выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского / И. Ф. Червоный, Е. А. Голев // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2014. – № 48 (1090). – C. 48-54.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/10992
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectполупроводниковые приборыru
dc.subjectтепловой узелru
dc.subjectтеплоизолирующие экраныru
dc.subjectконусный экранru
dc.subjectпотери теплаru
dc.subjectмощностьru
dc.subjectтигельru
dc.subjectградиент температурыru
dc.subjectwarm nodeen
dc.subjectscreenen
dc.subjectheat capacityen
dc.subjectcrucibleen
dc.subjectmelt gradienten
dc.titleОптимизация тепловых условий выращивания монокристаллов кремния методом Чохральскогоru
dc.title.alternativeOptimization of thermal terms of growing of single-crystals of silicon by method of Czochralskien
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2014_48_Chervonyy_Optimizatsiya.pdf
Розмір:
252.79 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник № 48