Моделирование процесса выращивания крупногабаритных щелочно-галоидных кристаллов методом Чохральского

dc.contributor.authorСуздаль, В. С.ru
dc.contributor.authorДербунович, Леонид Викторовичru
dc.contributor.authorГерасимчук, Л. И.ru
dc.contributor.authorЕпифанов, Ю. М.ru
dc.date.accessioned2015-09-22T12:50:11Z
dc.date.available2015-09-22T12:50:11Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractЗадача управління процесом вирощування монокристалів вирішена на основі використання тривимірних математичних моделей гідродинаміки бінарного розплаву, тепло- і масопереноса в рідкій і твердій фазах. Обґрунтована й отримана стохастична модель процесу кристалізації шляхом представлення рівнянь Навье-Стокса, теплопровідності і дифузії системою звичайних диференціальних рівнянь з випадковими коефіцієнтами і випадковою правою частиною. Для переходу до системи лінійних рівнянь використана підстановка Кармана, лінеаризація і поділ перемінних.uk
dc.identifier.citationМоделирование процесса выращивания крупногабаритных щелочно-галоидных кристаллов методом Чохральского / В. С. Суздаль [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Информатика и моделирование. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2005. – № 56. – С. 111-120.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17027
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectпроцесс кристаллизацииru
dc.subjectстохастическая модельru
dc.subjectрасплавru
dc.subjectтехнологические процессыru
dc.subjectростовая камераru
dc.subjectпрограммно-логическое управлениеru
dc.titleМоделирование процесса выращивания крупногабаритных щелочно-галоидных кристаллов методом Чохральскогоru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2005_56_Suzdal_Modelirovanie.pdf
Розмір:
684,96 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
11,23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:

Колекції