Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/49948
Title: Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe
Other Titles: Structure and Optical Properties of CdTe and CdS Thin Films after Hard Ultraviolet Irradiation
Authors: Копач, Галина Іванівна
Доброжан, Андрій Ігорович
Хрипунов, Геннадій Семенович
Мигущенко, Руслан Павлович
Кропачек, Ольга Юріївна
Зайцев, Роман Валентинович
Меріуц, Андрій Володимирович
Keywords: телурид кадмію; сульфід кадмію; неімпульсне магнетронне розпилення; постійний струм; тонкі плівки; cadmium telluride; cadmium sulfide; non-pulsed direct current magnetron sputtering; thin films
Issue Date: 2019
Publisher: Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника
Citation: Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe / Г. І. Копач [та ін.] // Фізика і хімія твердого тіла = Physics and Chemistry of Solid State. – 2019. – Т. 20, № 2. – С. 165-170.
Abstract: Досліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.
The influence of hard ultraviolet radiation on the crystalline structure, surface morphology and optical characteristics of CdS and CdTe semiconductor layers obtained by direct current magnetron sputtering are investigated. It was established that the optical characteristics of the studied films CdS and CdTe are insensitive to hard ultraviolet irradiation. The crystalline structure of the CdS and CdTe layers is changed after irradiation. The period of the lattice for cadmium sulfide films increases from c = 6.77(01) Å to c = 6.78(88) Å, which may be due to the formation of point defects and defective complexes. Decrease the integral FWHM of the peaks on the X-ray diffraction patterns of the layers of CdS and CdTe was observed, due to the increase of the coherent scattering regions as a result in the process of near-surface layers partial recrystallization of the investigated films.
DOI: doi.org/10.15330/pcss.20.2.165-170
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/49948
Appears in Collections:Кафедра "Теоретичні основи електротехніки"
Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики"
Кафедра природничих наук

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
PCSS_2019_20_2_Kopach_Vplyv_zhorstkoho.pdf900,63 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.