Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe
Дата
2019
ORCID
DOI
doi.org/10.15330/pcss.20.2.165-170
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника
Анотація
Досліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.
The influence of hard ultraviolet radiation on the crystalline structure, surface morphology and optical characteristics of CdS and CdTe semiconductor layers obtained by direct current magnetron sputtering are investigated. It was established that the optical characteristics of the studied films CdS and CdTe are insensitive to hard ultraviolet irradiation. The crystalline structure of the CdS and CdTe layers is changed after irradiation. The period of the lattice for cadmium sulfide films increases from c = 6.77(01) Å to c = 6.78(88) Å, which may be due to the formation of point defects and defective complexes. Decrease the integral FWHM of the peaks on the X-ray diffraction patterns of the layers of CdS and CdTe was observed, due to the increase of the coherent scattering regions as a result in the process of near-surface layers partial recrystallization of the investigated films.
The influence of hard ultraviolet radiation on the crystalline structure, surface morphology and optical characteristics of CdS and CdTe semiconductor layers obtained by direct current magnetron sputtering are investigated. It was established that the optical characteristics of the studied films CdS and CdTe are insensitive to hard ultraviolet irradiation. The crystalline structure of the CdS and CdTe layers is changed after irradiation. The period of the lattice for cadmium sulfide films increases from c = 6.77(01) Å to c = 6.78(88) Å, which may be due to the formation of point defects and defective complexes. Decrease the integral FWHM of the peaks on the X-ray diffraction patterns of the layers of CdS and CdTe was observed, due to the increase of the coherent scattering regions as a result in the process of near-surface layers partial recrystallization of the investigated films.
Опис
Ключові слова
телурид кадмію, сульфід кадмію, неімпульсне магнетронне розпилення, постійний струм, тонкі плівки, cadmium telluride, cadmium sulfide, non-pulsed direct current magnetron sputtering, thin films
Бібліографічний опис
Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe / Г. І. Копач [та ін.] // Фізика і хімія твердого тіла = Physics and Chemistry of Solid State. – 2019. – Т. 20, № 2. – С. 165-170.