Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells

Ескіз

Дата

2007

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals"

Анотація

It has been shown that for single crystalline silicon solar cells (Si-SC) with 180-200 μm thick base crystals, the optimum back surface reflector (BSR) is TiO₂/Al with 0.18 μm thick oxide layer. At such BSR, the reflection coefficient for photoelectric active sunlight reaching the back surface of Si-SC at 0.88-1.11 μm wavelengths attains 81 to 92 % against of 71 to 87 % at direct Al contact with back surface of silicon base crystal.
Було показано, що для монокристалічних кремнієвих сонячних елементів (Si-SC) з базовими кристалами товщиною 180-200 мкм оптимальним відбивачем задньої поверхні (BSR) є TiO₂/Al з шаром оксиду товщиною 0,18 мкм. При такому BSR коефіцієнт відбиття фотоелектричного активного сонячного світла, що досягає тильної поверхні Si-SC на довжинах хвиль 0,88-1,11 мкм, досягає 81-92 % проти 71-87 % при прямому контакті Al із тильною поверхнею кремнієвого базового кристала.

Опис

Ключові слова

single crystalline silicon solar cells, reflection coefficient, photoelectric active sunlight, silicon base crystal, хімічні реакції, сонячна енергія, електрична енергія, кристали кремнію

Бібліографічний опис

Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells / V. R. Kopach [et al.] // Functional Materials. – 2007. – Vol. 14, No. 4. – P. 555-561.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced