Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells

Abstract

Було показано, що для монокристалічних кремнієвих сонячних елементів (Si-SC) з базовими кристалами товщиною 180-200 мкм оптимальним відбивачем задньої поверхні (BSR) є TiO₂/Al з шаром оксиду товщиною 0,18 мкм. При такому BSR коефіцієнт відбиття фотоелектричного активного сонячного світла, що досягає тильної поверхні Si-SC на довжинах хвиль 0,88-1,11 мкм, досягає 81-92 % проти 71-87 % при прямому контакті Al із тильною поверхнею кремнієвого базового кристала.