Фізика напівпровідникових приладів
Вантажиться...
Дата
2023
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Анотація
Оскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.
Опис
Ключові слова
навчальний посібник, елементи зонної теорії, кінетика носіїв заряду, електричні процеси, імпульсні діоди, польові транзистори, силова електроніка, варикапи, стабістори, лавинний пробій, ударна рекомбінація, випрямляючі діоди
Бібліографічний опис
Кіріченко М. В. Фізика напівпровідникових приладів [Електронний ресурс] : навч. посібник / М. В. Кіріченко, Р. В. Зайцев, К. О. Мінакова ; Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т". – Електрон. текст. дані. – Харків, 2023. – 179 с. – URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/63067.