Фізика напівпровідникових приладів
Дата
2023
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Оскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.
Опис
Ключові слова
навчальний посібник, елементи зонної теорії, кінетика носіїв заряду, електричні процеси, імпульсні діоди, польові транзистори, силова електроніка, варикапи, стабістори, лавинний пробій, ударна рекомбінація, випрямляючі діоди
Бібліографічний опис
Кіріченко М. В. Фізика напівпровідникових приладів [Електронний ресурс] : навч. посібник / М. В. Кіріченко, Р. В. Зайцев, К. О. Мінакова ; Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т". – Електрон. текст. дані. – Харків, 2023. – 179 с. – URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/63067.