Вісник № 26
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/32397
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Создание высокоэнтропийных нитридных нанопокрытий на твёрдом сплаве Т12А(НТУ "ХПИ", 2017) Костюк, Геннадий ИгоревичВ работе была исследована возможность создания высокоэнтропийных нитридных нанопокрытий на твёрдом сплаве Т12А на основе гафния, циркония, молибдена, вольфрама, иттрия и никеля. Проведено исследование получения нитридных покрытий и нитридов непосредственно в теле материала при энергиях ионов в диапазоне от 200 до 2·104 эВ с зарядовыми числами от 1 до 3. Получены важные характеристики: объём зерна для всех перечисленных ионов и ионов азота и глубины их залегания, что позволяет оценить слои наноструктур или субмикроструктур, которые могут быть образованны этими высоэнтропийнными покрытиям. Показано, что есть возможность избежать получения интерметаллидов благодаря высокой подвижности ионов азота.Документ Перспективы получения наноструктур на специальном чугуне при действии фемтосекундного лазера(НТУ "ХПИ", 2017) Костюк, Геннадий Игоревич; Воляк, Елена Александровна; Евсеенкова, Анна ВладимировнаПоказана возможность получения наноструктур на специальном чугуне за счёт действия фемтосекундного лазера, причём есть возможность образования наноструктур как в зоне формирования зерна, так и в слоях наноструктурной толщины, но больших размеров зёрен больших, чем наноструктурные. Дана методика предварительной оценки технологических параметров лазерного излучения в фемтосекундном временном диапазоне, которая позволяет выявить технологические параметры для получения наноструктур. Она используется для экспресс-оценки возможности получения наноструктур.Документ Перспективы применения лазерной обработки для создания наноструктур на ри из "ВолКар"(НТУ "ХПИ", 2017) Костюк, Геннадий Игоревич; Широкий, Юрий ВячеславовичИсследованы зависимости максимальной температуры, скорости роста температуры и температурных напряжений от плотности теплового потока для разных времён его действия, также получены зависимости объема нанокластера при радиусах пятна контакта от технологических параметров обработки, что позволило получить требуемые технологические параметры для получения наноструктур.