Вісник № 36
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/21261
Переглянути
Документ Конструкторсько-технологічний аналіз польових гетеротранзисторів високої швидкодії для субмікронних структур ВІС/НВІС(НТУ "ХПІ", 2015) Новосядлий, Степан Петрович; Бойко, Сергій ІвановичПроведено аналіз швидкодії гетероструктурних польових транзисторів із селективним легуванням (ПТГСЛ), багатоканальних ПТГСЛ та ПТГСЛ з оберненою структурою, а також польових транзисторів з гетерозатвором високої щільності. На практиці отримані ПТГСЛ із значенням часу затримки в кільцевому генераторі τD = 12,5-25 пс при Т= 300 К потужністю PD= 0,9-4,0 мВт. Використання таких транзисторів в комплементарних вентилях, дозволяє збільшити їх швидкодію в 2,5-3 раз, в порівнянні з кремнієвими.