Вісник № 20
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/43236
Переглянути
Документ Кремний, легированный германием (SIGE), как материал для изготовления силовых полупроводниковых приборов, устойчивых к действию вторичного космического излучения(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Быткин, Сергей Витальевич; Критская, Татьяна ВладимировнаПроблема непредсказуемого выхода из строя силовых полупроводниковых приборов может быть решена при использовании технологий, обеспечивающих повышение их радиационной стойкости. Использование монокристаллов кремния, легированных германием, замедляет деградацию характеристик приборов при воздействии ионизирующих излучений, что является альтернативой дефицитным и дорогостоящим GaAs, GaN, SiC, применяемым для этих целей. Воздействие вторичного космического излучения может быть ответственным за деградацию электрофизических параметров монокристаллов кремния при их длительном хранении, а также за снижение эффективности работы полупроводниковых преобразователей солнечной энергии.