Вісник № 27

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/43628

Переглянути

Фільтри

20192

Налаштування

ORCID: search.filters.orcid.https://orcid.org/0000-0002-7119-7790

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
    (Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
    В работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.
  • Ескіз
    Документ
    Створення експериментального зразка установки для реалізації випробувань імпульсним електричним полем що супроводжує блискавку
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Князєв, Володимир Володимирович; Мельніков, Петро Миколайович; Чернухін, Олександр Юрійович
    Здійснено аналіз вимог стандарту NATO AECTP 250:2014 стосовно випробувань за видом NL254-Е. Розділ 254.4 стандарту АЕСТР-250:2014 присвячений розгляду амплітудно-часових параметрів та ефектів прямих та непрямих ударів блискавки, які використовуються при випробуваннях об’єктів військової техніки (ОВТ) на блискавкостійкість. Непрямі удари блискавки, це розряди блискавки на відстані не менш 10 м від ОВТ, характеризуються електричними та магнітними полями. Ці поля мають абревіатуру NL254-E (електричне поле) та NL254-Н (магнітне поле). Напруженості цих полів наведено у табл. 254-6 стандарту АЕСТР-250:2014. Виявлено суттєву розбіжність між значеннями швидкості наростання напруженості електричного поля регламентовані стандартом NATO AECTP 250:2014 та військовим стандартом СШАMIL STD 464C:2010. У даній статі описано установку для генерування імпульсу електричного поля. Розроблено варіант реалізації експериментального зразка установки та схеми випробувань. Створено експериментальний зразок установки, яка забезпечує генерацію імпульсного електричного поля з нормованими параметрами, які відповідають вимогам стандарту СШАMIL STD 464C:2010. Надано докази відповідності вихідних параметрів установки вимогам стандарту. Дослідження спрямовано на створення в Україні національної системи оцінювання відповідності зразків ОВТ вимогам стандартів НАТО та військових стандартів США з електромагнітної сумісності (ЕМС).