Вісник № 65
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15776
Переглянути
Документ Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2011) Богдан, Е. А.; Пироженко, Л. А.; Наконечный, Д. В.; Веревкин, А. А.; Полянский, Николай ЕгоровичДетекторы γ-излучения на основе CdTe проходят ряд предварительных операций, одна из которых химическое травление и полирование. В работе исследован процесс химического травления кри-сталлов СdZnTe в растворах І2-ДМФА. Установлена зависимость скорости травления от концентрации йода. Определены диапазоны концентраций йода для полирующего и селективного травления.