(НТУ "ХПИ", 2018) Критская, Татьяна Владимировна; Быткин, Сергей Витальевич
Технологии высокотемпературных и радиационно-стойких силовых полупроводниковых приборов (СПП) используют структуры на основе SiC, GaN. Мировой рынок дискретных силовых приборов в 2024 г. предположительно составит ~ $23 млрд., доля приборов на основе кремния ≅87%. Предложены методы специального легирования монокристаллов CZ-Si и обработки, повышающей механические свойства Si, а также радиационную и термическую стабильность СПП на основе CZ-Si.
