2009
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/6959
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Экспериментальные исследования метрологических характеристик средств измерения высоких импульсных напряжений на Эталоне-ТН(НТУ "ХПИ", 2009) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Лесной, Иван Петрович; Немченко, Юрий СеменовичОписано метрологічне обладнання для атестації засобів вимірювання високих імпульсних напруг практично при реальних параметрах вимірюваних напруг. Наведена методика метрологічної атестації засобів вимірювання високих імпульсних напруг, а також експериментальні результати цієї процедури на макеті омічного дільника напруги на 300 кВ.Документ Эталон единицы максимального значения больших импульсных токов(НТУ "ХПИ", 2009) Немченко, Юрий Семенович; Князев, Владимир Владимирович; Лесной, Иван Петрович; Кравченко, Владимир ИвановичДля метрологічної атестації і повірки засобів вимірювання великих імпульсних струмів створено джерело стабільних імпульсів струму на базі раніше розробленого і введеного в експлуатацію Еталону імпульсного електромагнітного поля (Еталон РЕМП). Виміряно імпульси струму в елементах Еталону (від 20 A до 1000 А) за допомогою штатного вбудованого зразкового коаксіального вимірювального шунта ШК-50 і експериментально доведено, що форми імпульсів струму й імпульсів електромагнітного поля в Еталоні співпадають, що доводить правильність обраної структури Еталону імпульсів великого струму.Документ Влияние стороннего электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий(НТУ "ХПИ", 2009) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Яковенко, В. И.; Лосев, Федор ВладимировичПоказано, що дія імпульсного електромагнітного випромінювання (ЕМВ) на електровироби часто супроводжується виникненням струмів у провідних елементах ЕРВ і утворенням їх внутрішніх полів. Визначено енергетичні втрати потоку зарядженних частинок, обумовлених їх взаємодією з власними полями на збудження поверхневих полярітонів у напівпровідникових структурах.