Наведені описи методу, експериментального стенду та технологічних режимів, які дозволяють проводити низькотемпературний синтез товстих шарів сегнетокерамік з загальною формулою BaₓSr₁₋ₓTiᵧZr₁₋ᵧO₃ на поверхні металевих електродів. Обґрунтована перспективність одержаного нелінійного діелектричного матеріалу для застосування в галузі високовольтної імпульсної техніки.
