Науково-дослідний та проектно-конструкторський інститут "Молнія" (НДПКІ "Молнія" НТУ "ХПІ")

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4786

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/molnia

Від 1975 року інститут має назву Науково-дослідний та проектно-конструкторський інститут "Молнія" НТУ "ХПІ" , попередня назва – ОКБ ВІТ.

Започаткований у 1954 році видатним вченим і інженером канд. техн. наук, доцентом Саулом Марковичем Фертиком як науково-дослідна лабораторія механічних випрямлячів, інститут пройшов шлях до всесвітньо відомого випробувального полігону.

Інститут є одним із найяскравіших інститутів-супутників Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" та добре відомий не тільки в Україні, а й далеко за її межами. НДПКІ "Молнія" найбільший науково-дослідний та випробувальний центр, що спеціалізується в галузі техніки високих напруг, електромагнітної стійкості та сумісності, розробки електромагнітних технологій широкого функціонального призначення на основі надпотужних імпульсних електричних і магнітних полів. Особливе значення в роботі інституту мають питання, що пов'язані з дослідженнями формування електромагнітних імпульсів природного та штучного походження та їх вражаючих дій на навколишнє середовище, насамперед на технічні засоби стратегічно важливих об'єктів України, зокрема на об'єкти ракетно-космічної, авіаційної техніки, та забезпечення блискавкозахисту технічних засобів, які застосовуються на таких енергооб'єктах України як атомні електростанції.

Переглянути

Фільтри

2015 - 20166

Налаштування

Автор: search.filters.author.Серков, Александр АнатольевичКлючові слова: search.filters.subject.плазма

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6
  • Ескіз
    Документ
    Возбуждение поверхностных плазмонов при наличии потенциального барьера в условиях воздействия электромагнитного излучения
    (НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
    Рассмотрено взаимодействие поверхностных плазмонов с потоком заряженных частиц при наличии потенциального барьера, исходя из энергетического принципа получены кинетические уравнения, определяющие изменение числа поверхностных плазмонов, выражения для инкрементов их неустойчивостей с учетом величины потенциального барьера на границе, который приводит к появлению отраженных от границы частиц пучка. Полученные результаты позволяют учитывать вклад отраженной и прошедшей компонент потока частиц в суммарную энергию излучения поверхностных колебаний. Исследованы механизмы взаимодействия потока заряженных частиц с собственными электромагнитными колебаниями двумерного электронного газа, возникновение которого обусловлено наличием потенциального барьера на границе раздела сред.
  • Ескіз
    Документ
    Влияние потенциального барьера на процессы взаимодействия плазмонов и заряженных частиц на границе раздела сред
    (НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
    Определены вероятности процессов излучения и поглощения энергии электромагнитных колебаний электронами пучка на границе проводящего твердого тела с учетом потенциального барьера конечной величины, рассматрена. возможность развития неустойчивости колебаний. Учтено влияние конечной величины потенциального барьера на механизм обмена энергией волн и частиц на границе. Получены кинетические уравнения, определяющие изменение числа поверхностных плазмонов, выражения для инкрементов их неустойчивостей с учетом величины потенциального барьера на границе, которую пересекает поток заряженных частиц. Данные результаты позволяют учитывать вклад отраженной и прошедшей компонент потока частиц в суммарную энергию излучения поверхностных колебаний.
  • Ескіз
    Документ
    Взаимодействие собственных колебаний двумерного (2D) электронного газа с потоком заряженных частиц в условиях действия электромагнитного излучения
    (НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
    В работе получено кинетическое уравнение для поверхностных плазмонов 2D системы, описывающее их взаимодействие с электронным потоком, движущимся по нормали к границе раздела сред. Предполагается, что газ локализован вблизи дельтовидной потенциальной ямы. Найден инкремент неустойчивости. Величина инкремента обратно пропорциональна времени пролета частиц сквозь 2D электронную систему. Получены аналитические решения задач взаимодействия токов, приведенных внешним электромагнитным излучением, с собственными электромагнитными колебаниями структур комплектующих полупроводниковые приборы, в условиях режима неустойчивости (генерации) колебаний. Определены расчетные соотношения для количественных характеристик обратных отказов (степени отклонения ВАХ от нормы) полупроводниковых приборов в зависимости от параметров внешнего электромагнитного излучения и физических качеств материалов, комплектующих приборы.
  • Ескіз
    Документ
    Моделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия
    (НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
    Исследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.
  • Ескіз
    Документ
    Физические модели обратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия
    (НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
    Предложены физические модели появления обратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях воздействия электромагнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
  • Ескіз
    Документ
    Анализ влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов
    (НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
    Проведен анализ влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.