Вісники НТУ "ХПІ"

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2494


З 1961 р. у ХПІ видається збірник наукових праць "Вісник Харківського політехнічного інституту".
Згідно до наказу ректора № 158-1 від 07.05.2001 року "Про упорядкування видання вісника НТУ "ХПІ", збірник був перейменований у Вісник Національного Технічного Університету "ХПІ".
Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" включено до переліку спеціалізованих видань ВАК України і виходить по серіях, що відображають наукові напрямки діяльності вчених університету та потенційних здобувачів вчених ступенів та звань.
Зараз налічується 30 діючих тематичних редколегій. Вісник друкує статті як співробітників НТУ "ХПІ", так і статті авторів інших наукових закладів України та зарубіжжя, які представлені у даному розділі.

Переглянути

Фільтри

2011 - 20186

Налаштування

Ключові слова: search.filters.subject.single crystal

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6
  • Ескіз
    Документ
    Перспективные полупроводниковые материалы для использования в силовой электронике
    (НТУ "ХПИ", 2018) Критская, Татьяна Владимировна; Быткин, Сергей Витальевич
    Технологии высокотемпературных и радиационно-стойких силовых полупроводниковых приборов (СПП) используют структуры на основе SiC, GaN. Мировой рынок дискретных силовых приборов в 2024 г. предположительно составит ~ $23 млрд., доля приборов на основе кремния ≅87%. Предложены методы специального легирования монокристаллов CZ-Si и обработки, повышающей механические свойства Si, а также радиационную и термическую стабильность СПП на основе CZ-Si.
  • Ескіз
    Документ
    Матричные неравенства в синтезе управления ростовыми установками
    (НТУ "ХПИ", 2017) Суздаль, Виктор Семенович; Епифанов, Ю. М.; Тавровский, Игорь Игоревич
    Рассмотрен синтез управления установкой для выращивания методом Бриджмена-Стокбаргера органических монокристаллов, позволяющий решить многоэтапную задачу адаптивной стабилизации скорости роста кристалла. Синтез управления системой проведен на основе решения матричных неравенств с таблично задаваемыми параметрами стабилизирующего регулятора для разных этапов выращивания монокристаллов.
  • Ескіз
    Документ
    Синтез стабилизирующего управления процессами выращивания монокристаллов
    (НТУ "ХПИ", 2016) Суздаль, В. С.; Епифанов, Ю. М.; Тавровский, И. И.
    Рассмотрен синтез стабилизирующего регулятора для процесса выращивания монокристаллов, основанный на применении теории линейных матричных неравенств и мер модального доминирования. На основе адаптации собственного пространства динамических систем предложен новый подход решения задачи синтеза при одиночном изменении спектра.
  • Ескіз
    Документ
    Модальное управление выращиванием крупногабаритных монокристаллов
    (НТУ "ХПИ", 2011) Суздаль, В. С.; Епифанов, Ю. М.
    Для кристаллизации крупногабаритных монокристаллов проведен синтез системы модального управления с регулятором низкого порядка, которая обеспечивает робастную устойчивость и требуемое качество управления.
  • Ескіз
    Документ
    Рандомизированный синтез управления MIMO-системами выращивания монокристаллов
    (НТУ "ХПИ", 2014) Епифанов, Ю. М.; Суздаль, В. С.; Соболев, А. В.
    Для кристаллизации сцинтилляционных монокристаллов рассмотрен метод стабилизации по состоянию и выходу линейной МIМО-системы на основе специфического преобразования подобия исходной системы, что позволяет в явном виде определить элементы, изменение которых с помощью обратной связи обеспечивает устойчивость замкнутой системы.
  • Ескіз
    Документ
    Синтез регуляторов простой структуры для управления процессами кристаллизации
    (НТУ "ХПИ", 2014) Балонин, Н. А.; Суздаль, В. С.; Козьмин, Ю. С.
    Для систем управления процессами кристаллизации решается задача достижения желаемых показателей качества методами модального управления. Синтез проводится на основе анализа мер модального доминирования собственных значений матрицы состояний объекта управления.