Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/64473

Офіційний сайт http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/

Журнал публікує наукові результати та досягнення мультидисциплінарних досліджень молодих науковців широкого профілю у сферах машинобудування, енергетики, технологій органічних і неорганічних речовин, екології, інформаційних технологій і систем управління, техніки та електрофізики високих напруг, а також з фундаментальних аспектів сучасних технологій.

Рік заснування: 2001. Періодичність: 4 рази на рік. p-ISSN: 2079-5459 e-ISSN: 2413-4295

Новини

Журнал включено до Переліку наукових фахових видань України, категорія "Б" (накази МОН України №409 від 17.03.2020 та №886 від 02.07.2020) за спеціальностями 132-Матеріалознавство; 141- Електроенергетика, електротехніка та електромеханіка; 142-Енергетичне машинобудування; 151-Автоматизація та комп’ютерно-інтегровані технології; 152 -Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка; 161-Хімічні технології та інженерія; 181-Харчові технології

Переглянути

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Evaluation of energy band structure of half-heusler alloy LiZnX (X = As, P and Sb) using first principle calculation
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2023) Ettah, Emmanuel; Ishaje, Michael E.; Minakova, Kseniia; Asuquo, Esther Offiong; Odey, Stephen U.
The evaluation of energy band structure plays a vital role in understanding the electronic properties of materials. This research, we investigate the energy band structure of Half-Heusler alloys LiZn(X = As, P and Sb) using a first principle approach based on Density Functional Theory (DFT). These alloys are of particular interest due to their potential applications in thermoelectric and spintronics devices. The corresponding Density of States (DOS) for the tripartite compounds LiZnX (X=As, P and Sb) have been calculated and the contributions of the Li, Zn, As, P and Sb orbital to the Density of States at ambient pressure. This also confirmed that LiZnX (X=As, P and Sb) is a semi-conductor with a narrow band-gap between the occupied and unoccupied regions around the Fermi level. The orbitals Li-1s, As-4p, As-4s, Zn-3d has the highest contributions. The dominant of the orbitals P-1s and P-2p before the Fermi- level and Zn-2p after the Fermi-level are observed. We observed the dominant of the orbitals Sb-1s, Sb-3d, Li-1s, Li-2s, Zn-3d shows weak hybridization and low contribution. This features indicates that the covalent bond between these two atoms is weak, and could be responsible for the mechanical instability observed in the calculation. Meanwhile the band structure calculated and presented has narrow band-gab of 0.625. 0.937 and 0.313 respectively for the tripartite compound LiZnX(X=As, P, and Sb) and its a direct bandgap semiconductor. The obtained energy band structures provide valuable information about the electronic properties of LiZn (X = As, P and Sb) alloys. The presence of band gaps is crucial for thermoelectric applications, as it indicates the presence of regions where electrons and holes are confined, enabling efficient charge transport.